擴散爐的發展歷程

點擊數：70272015-11-24 14:10:54　來源: 青島福潤德微電子設備有限公司

擴散爐主要應用于集成電路、分立器件、光電子器件、太陽能電池等領域，那么，關于擴散爐的發展歷程如何呢？它是從何時出現的呢？
     1965年以前，這是擴散爐出現階段，擴散爐隨著半導體工藝的產生而出現，這一階段的國產擴散爐水平與國外水平差距不大。
     1965~1976年，這是擴散爐功能被逐步完善的階段。這個階段是器件半導體進入集成電路時代，因而對工藝設備的功能提出了許多新的要求。為適應工藝要求，在此階段逐漸配備了工藝氣路系統，送片系統以及凈化臺等，爐管口徑逐漸加大，可處理3英寸硅片。
      1976~1987年，這是擴散爐在技術上的成熟階段。這期間半導體工藝進入VLSI時代，在1983年6英寸生產線已經建立。1987年微細加工的特征尺寸已達到1μm，設備的更新周期大大縮短，為滿足工業生產技術發展的要求，擴散爐技術性能持續改善提高，主要表現形式是硅片尺寸增大，顆粒污染控制更嚴格，工藝參數控制更加精確，已經實現溫度曲線和工藝時序的全自動控制，設備可靠性有很大提高，臥式擴散爐技術趨于成熟。
      1987年至今，微細加工線寬由1μm發展到0.25μm以下，硅片直徑已經增大到8英寸，已經建立了8英寸生產線。傳統擴散爐在滿足工藝要求方面面臨很大困難，為解決這些困難，適應工藝進步要求國外出現了立式擴散/氧化爐。